零一零的《Abstract for new memory device》成绩 - 打字成绩 - 在线打字练习（dazi.91xjr.com）

本次成績: 2025/ 2/ 1 星期六

英文文章	文章字數	測試時長	準確率	速度	退格數	出錯數	成績
《Abstract for new memory device》	1508字	15.0分钟	99%	96 CPM	270 次	9	不及格，加强练习！
本次出錯的字 r,o,,.,r,o,t,r,u
小小建議: 可能对按键不够熟悉，或者对输入法不够熟练所导致，不要急慢慢来，先打对把准确率提高，然后逐渐的加快速度，最后才能打准打快。
勵誌名言: 明明知道无论花开花落都只是一场寂寞的演出，却仍然愿意倾尽全力来演好这一生。 ——席慕蓉
您覺的這篇文章怎麽樣，評個分吧，做其他人的指路燈

文章簡介

Non-volatile resistive switching, also known as memristor effect, where an electric field switches the resistance statesof a two-terminal device, has emerged as an importantconcept in the development...