忘妎的《Abstract for new memory device》成绩 - 打字成绩 - 在线打字练习(dazi.91xjr.com)

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本次成績: 2024/ 11/ 15 星期五
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Abstract for new memory device 1508 5.0分钟 100% 226 CPM 157 0 优秀,成绩不错哦!
小小建議:
可能对按键不够熟悉,或者对输入法不够熟练所导致,不要急慢慢来,先打对把准确率提高,然后逐渐的加快速度,最后才能打准打快。
勵誌名言: 只要朝着一个方向努力,一切都会变得得心应手。 ——勃朗宁
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文章簡介
Non-volatile resistive switching, also known as memristor effect, where an electric field switches the resistance statesof a two-terminal device, has emerged as an importantconcept in the development...
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