Non-volatile resistive switching, also known as memristor effect,
where an electric field switches the resistance statesof a two-terminal device,
has emerged as an importantconcept in the development...
| 英文文章 | 文章字數 | 測試時長 | 準確率 | 速度 | 退格數 | 出錯數 | 成績 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 《Abstract for new memory device》 | 1508字 | 9.5分钟 | 100% | 156 CPM | 151 次 | 0 | 及格，继续努力！ |
|
小小建議:
可能对按键不够熟悉，或者对输入法不够熟练所导致，不要急慢慢来，先打对把准确率提高，然后逐渐的加快速度，最后才能打准打快。
|
|||||||
| 勵誌名言: 勇敢做自己，永远都不嫌迟。 ——乔治·艾略特 | |||||||
| 您覺的這篇文章怎麽樣，評個分吧，做其他人的指路燈 | |||||||
工信部備案：閩ICP備19000005號
閩公安網備35018302000134
